苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国氮化镓衬底晶片供应商。
目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。
苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，努力在新一代显示、节能照明、微波通讯、电力电子、医学成像等产业领域为下游客户带来核心价值。
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苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国氮化镓衬底晶片供应商。
目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。
苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，努力在新一代显示、节能照明、微波通讯、电力电子、医学成像等产业领域为下游客户带来核心价值。